CPH6123-TL-E 是一款由 Central Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能特性和较高的可靠性。CPH6123-TL-E 采用 SOT-23 封装,适合用于需要小型化和高稳定性的电路设计中。该器件具有较高的电流增益(hFE)和较低的饱和电压(Vce_sat),使其在开关应用中表现出色。
类型:NPN 双极型晶体管
集电极-发射极电压(Vce):30V
集电极-基极电压(Vcb):30V
发射极-基极电压(Veb):5V
集电极电流(Ic):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
CPH6123-TL-E 晶体管具有多项优异的电气特性,使其在多种电子电路中表现出色。首先,其较高的集电极-发射极电压(Vce)和集电极-基极电压(Vcb)均为 30V,使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于多种电源管理应用。此外,该晶体管的发射极-基极电压(Veb)为 5V,限制了基极电压的输入范围,保护晶体管免受过压损坏。
其次,CPH6123-TL-E 的最大集电极电流(Ic)为 100mA,适用于中等功率的开关和放大应用。其功耗(Pd)为 300mW,确保在 SOT-23 小型封装下仍能保持良好的热稳定性,避免因过热而损坏。
该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适应了广泛的环境温度变化,使其能够在工业级应用中稳定运行。存储温度范围同样为 -55°C 至 150°C,确保在存储和运输过程中不会因温度变化而影响其性能。
CPH6123-TL-E 采用 SOT-23 小型封装,节省了电路板空间,适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。其高电流增益(hFE)和低饱和电压(Vce_sat)使其在开关应用中具有较高的效率和较低的功耗。
CPH6123-TL-E 晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于通用电子电路、开关电路、放大器电路、逻辑电平转换、LED 驱动电路以及小型电源管理系统。其高电流增益和低饱和电压特性使其在数字开关应用中表现出色,能够有效控制负载的导通与关断。
在 LED 驱动电路中,CPH6123-TL-E 可以用于控制 LED 的亮度和开关状态,适用于低功耗照明系统和显示背光控制。此外,由于其小型 SOT-23 封装,它非常适合用于空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
在模拟放大电路中,该晶体管可用于音频放大、信号调理等应用。其稳定的电气特性和宽工作温度范围使其在工业自动化和测量设备中也有广泛应用。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A