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IMX25T110 发布时间 时间:2023/3/10 16:43:35 查看 阅读:267

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列

    系列:-

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 阵列

    系列:-

    晶体管类型:2 NPN(双)

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):300mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):100mV @ 3mA, 30mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):820 @ 4ma, 2V

    功率 - 最大:300mW

    频率 - 转换:35MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SC-74-6

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*

    其它名称:Q5046045T1104941


资料

厂商
ROHM Semiconductor

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IMX25T110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 3mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 4ma,2V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换35MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称Q5046045T1104941