类型：MOSFET驱动器
　　拓扑结构：半桥驱动器
　　工作电压范围：10V - 20V
　　输出电流：±4A（峰值）
　　传播延迟：典型值110ns
　　上升/下降时间：典型值15ns（在18V供电下）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：SO-16（表面贴装）

P0260EDA具备多项先进特性，确保其在复杂应用中的可靠性和性能。
　　首先，该器件采用半桥结构，支持高边和低边MOSFET驱动，能够有效控制功率转换过程中的开关损耗，提高整体效率。其±4A的峰值输出电流能力可快速驱动大功率MOSFET，适用于高频率开关操作。
　　其次，P0260EDA内置欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在供电电压不足时误操作，从而保护功率器件免受损坏。此外，该芯片还具备热关断功能，在芯片温度超过安全范围时自动关闭输出，防止过热损坏。
　　为了提高系统稳定性，P0260EDA具有独立的高边和低边驱动输出，具备可调死区时间控制功能，以防止上下桥臂同时导通导致的直通电流问题。该芯片的传播延迟时间仅为110ns，且上升/下降时间短，适用于高频变换器设计。
　　封装方面，P0260EDA采用SO-16表面贴装封装，具有良好的热管理和空间利用率，适合现代高密度电源设计。

P0260EDA广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器等。其高驱动能力和保护功能使其特别适用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车电子应用。在电动汽车（EV）充电系统中，P0260EDA可用于控制功率MOSFET的开关，实现高效的能量转换。此外，它还可用于高频感应加热设备和智能电网设备中，提升系统的动态响应和稳定性。

L6384E、IRS2104S、TC4420、MIC502