类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@VGS=10V）；5.8mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1350pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8 / Power-SO8

CPH5808的核心优势在于其基于先进Trench结构设计所带来的超低导通电阻与优异的开关性能。该器件在VGS=10V时RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。同时，其在较低驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（5.8mΩ），使其适用于由逻辑电平信号直接驱动的场合，例如由微控制器或门极驱动IC控制的电源系统。这种宽泛的栅极驱动兼容性增强了其在现代低电压、高密度电源设计中的适用性。
　　此外，CPH5808具备出色的动态特性，包括较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这有助于减少开关过程中的充放电能量损耗，从而实现更高的开关频率运行。这对于DC-DC变换器尤其是同步整流BUCK电路至关重要，可以有效缩小电感和电容的尺寸，提升功率密度。其反向恢复时间较短（trr=28ns），降低了体二极管在续流过程中的反向恢复电荷，减少了交叉导通风险和EMI噪声，提升了系统稳定性。
　　在可靠性方面，CPH5808集成了多项保护机制。其具备较高的栅源电压耐受能力（±20V），可防止因驱动异常或电压瞬变导致的栅极击穿。器件还经过严格的雪崩能量测试，具备一定的非钳位电感开关（UIS）能力，可在突发过压或电感负载突变情况下维持稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端温度环境下依然可靠工作，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　封装方面，CPH5808采用Power-SO8封装，不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且通过优化内部引线布局和散热路径，提高了热传导效率。封装底部通常设有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，有效降低热阻，提升长期工作的可靠性。综合来看，CPH5808凭借其高性能、高可靠性和良好的封装适配性，成为中小功率电源系统中理想的功率开关选择。

CPH5808广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（BUCK）转换器，尤其在主板供电、GPU/VPU核心电源、笔记本电脑和嵌入式系统的多相VRM设计中扮演关键角色。其低RDS(on)和快速响应能力有助于提升转换效率并降低温升。此外，它也常用于负载开关电路，用于控制电源域的通断，实现节能管理和上电时序控制，常见于移动设备和平板电脑的电源管理模块中。
　　在电池供电系统中，CPH5808可用于电池保护电路或充电管理模块中的充放电通路控制，因其低导通压降可减少能量损耗，延长续航时间。它还适用于电机驱动应用，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端或高端开关元件，提供快速开关和低功耗控制。
　　其他应用场景还包括LED驱动电源、热插拔控制器、USB电源开关、服务器电源模块以及工业控制设备中的功率分配单元。由于其SO-8封装与多数主流MOSFET引脚兼容，设计替换方便，因此在升级现有设计以提升效率时被广泛采纳。此外，在汽车电子中，如车载信息娱乐系统或辅助电源模块中，CPH5808也能满足AEC-Q101的部分可靠性要求（具体需参考最新认证状态），适用于对空间和效率有严格要求的环境。

SI4410DY, FDS6680A, AO4419, IPP095N03L, CSD16323Q5