CPH3356-TL-E 时间：2025/9/21 11:02:01 阅读：6

CPH3356-TL-E是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET，采用SOT-23小外形晶体管封装。该器件专为高效率、低电压和低电流开关应用设计，适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。其双通道结构允许在单个封装内实现两个独立的MOSFET功能，从而节省PCB布局空间并简化电路设计。CPH3356-TL-E具有低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少功率损耗并提高系统整体能效。此外，该器件支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产装配，广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及电源管理系统中。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，CPH3356-TL-E成为许多对尺寸和功耗敏感设计中的理想选择之一。

参数

型号：CPH3356-TL-E
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　产品类型：MOSFET
　　技术类型：MOS FET, Dual N-Channel
　　漏源电压Vds：30V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：300mA @ 10V Vgs
　　脉冲漏极电流Idm：1.2A
　　功耗Pd：350mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：SOT-23

特性

CPH3356-TL-E的N沟道MOSFET结构使其在低电压驱动条件下仍能保持良好的开关性能，尤其适合电池供电设备中对功耗极为敏感的设计需求。该器件的低阈值电压确保了即使在较低的控制信号电平下也能实现充分的导通状态，从而提升了系统的响应速度与稳定性。其最大漏源导通电阻在典型工作条件下可低至0.85Ω，有效降低了导通期间的能量损耗，这对于延长移动设备电池寿命至关重要。
　　该MOSFET具备快速开关能力，开关时间通常在纳秒级别，能够满足高频PWM调制或数字逻辑控制等应用场景的需求。同时，由于采用了先进的硅晶圆制造工艺，器件的一致性和可靠性较高，在批量使用时可显著降低失效风险。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，保证长时间稳定运行。
　　CPH3356-TL-E符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品制造。其静电放电（ESD）防护能力也经过优化，提高了在生产和组装过程中的抗干扰能力。此外，该器件对栅极驱动信号的噪声不敏感，减少了外围保护电路的设计复杂度。综合来看，这款双N沟道MOSFET在小型化、高效能和高可靠性的要求下表现出色，是现代电子系统中理想的开关元件之一。

应用

广泛用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部电源管理与信号切换；在笔记本电脑和USB设备中用于负载开关或接口保护电路；适用于LED背光驱动和小型电机控制；也可作为模拟开关或多路复用系统中的核心组件；在无线通信模块中用于射频前端偏置控制；此外还常见于各类电池供电的物联网终端设备中，执行低功耗待机模式下的电源通断控制。