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STW42N65M5 发布时间 时间:2025/7/22 22:41:03 查看 阅读:5

STW42N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。该器件采用先进的MDmesh M5技术,具有低导通电阻和高击穿电压,使其非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和逆变器等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  漏极电流(ID)@25°C:42A
  导通电阻(RDS(on)):0.048Ω @ VGS = 10V
  栅极电荷(Qg):115nC
  功率耗散(Ptot):300W
  封装类型:TO-247

特性

STW42N65M5采用意法半导体的MDmesh M5技术,显著降低了导通损耗并提高了开关性能。其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件具有较高的雪崩能量耐受能力,增强了在高压瞬态条件下的可靠性。
  STW42N65M5还具有优异的热稳定性和较高的工作温度范围,适合在严苛的工业环境中使用。其高栅极电荷(Qg)虽然在高频应用中可能会影响效率,但在中低频应用中能够提供更稳定的开关性能。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,适用于需要高可靠性的电力电子系统。
  该器件的封装形式为TO-247,便于安装在散热器上,以提高散热性能。STW42N65M5的设计使其在电源转换器、电机驱动、太阳能逆变器和UPS系统中表现出色,是一种高性价比的功率MOSFET解决方案。

应用

STW42N65M5广泛应用于多种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、变频器、UPS系统以及太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为工业自动化、电动汽车充电系统和能源管理系统中的理想选择。

替代型号

STW42N65M5的替代型号包括STW43N65M5、STW47N65M5和STW55N65M5等,这些型号在导通电阻、电流容量和封装形式方面与STW42N65M5相似,可根据具体应用需求进行选择。

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STW42N65M5参数

  • 其它有关文件STW42N65M5 View All Specifications
  • 产品培训模块5th Generation High Voltage Mosfet Technology
  • 特色产品MDmesh V Series Mosfets
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C79 毫欧 @ 16.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4650pF @ 100V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 工具箱497-8012-KIT-ND - KIT MOSFET MD MESH
  • 其它名称497-8796-5