CPH3109 时间：2025/12/28 10:24:10 阅读：15

CPH3109是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等电力电子领域。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。CPH3109适用于需要高效能和高可靠性的中低压功率应用场合，能够在较小的封装尺寸下实现较大的电流承载能力，有助于提升系统整体效率并减小电路板空间占用。其设计注重在高温环境下的稳定运行，具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，适合工业控制、消费类电子产品及绿色能源系统的使用需求。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保与可持续发展的要求。

参数

型号：CPH3109
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25℃）：110A
　　脉冲漏极电流IDM：360A
　　导通电阻RDS(on)（max）：2.3mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：1.8mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷Qg（典型值）：45nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss：2800pF @ VDS=15V
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：35ns
　　反向恢复时间trr：25ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

特性

CPH3109采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻RDS(on)，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其典型的RDS(on)仅为1.8mΩ，在10V的栅极驱动电压下即可实现充分导通，适用于高效率同步整流、电池管理系统、电动工具电源模块等对功耗敏感的应用场景。由于采用了优化的硅片设计和封装技术，该器件表现出优异的热传导性能，可以在较高的环境温度下持续工作而不会发生热失控。此外，CPH3109具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的设计复杂度，并有助于减少开关过程中的动态损耗。其快速的开关响应能力——包括短至15ns的开启延迟时间和35ns的关断延迟时间——使其非常适合用于高频DC-DC变换器、服务器电源或便携式设备的电源管理单元。
　　另一个关键优势是其出色的抗雪崩击穿能力和稳健的可靠性设计。CPH3109在非钳位感性负载条件下具备一定的单脉冲抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或电感反冲电压冲击下保持器件完整性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。同时，该器件内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约25ns），减少了反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰，有利于提升系统EMI性能。TO-220F封装不仅提供了良好的电气绝缘性能（通过将引脚塑封隔离实现），还便于安装散热片以进一步增强散热效果，因此特别适用于需要电气隔离和高功率密度的工业电源设计。综合来看，CPH3109是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的中低压功率MOSFET解决方案，适用于多种现代电力电子系统的设计需求。