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GA0805H223JBXBT31G 发布时间 时间:2025/6/6 13:50:22 查看 阅读:4

GA0805H223JBXBT31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管,主要用于开关和放大应用。该型号属于 GaN(氮化镓)基器件系列,具有出色的高频性能和低导通电阻特性,适用于高效率电源转换、快速充电器、DC-DC 转换器以及其他高频电力电子应用场景。
  相比传统的硅基 MOSFET,该器件在开关速度、导通损耗和热性能方面均有显著提升,能够满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

参数

类型:增强型 MOSFET
  材料:GaN(氮化镓)
  最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:8A
  导通电阻:22mΩ
  栅极电荷:90nC
  开关频率:最高可达 5MHz
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805H223JBXBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 高开关速度和低栅极电荷设计,使其非常适合高频应用,如 DC-DC 转换器和 LLC 谐振转换器。
  3. 宽禁带材料(GaN)带来了更高的击穿电压能力和更优的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  4. 小巧的封装形式节省了 PCB 空间,同时提高了功率密度。
  5. 内置保护功能(如过流保护),增强了器件的可靠性和使用寿命。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的快充适配器和 USB-PD 控制器。
  2. 工业领域的高效 DC-DC 转换器和逆变器。
  3. 电信设备中的电源管理模块。
  4. 太阳能微逆变器和储能系统的高频开关电路。
  5. 数据中心和服务器的电源解决方案,提供更高的功率密度和更低的能量损耗。

替代型号

GA0805H223JAXT31G, GA0805H223JBXT31G

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GA0805H223JBXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-