时间：2025/8/7 13:07:50
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APA0714XAI-TRG 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及出色的热性能，适用于负载开关、电源转换、电池供电设备等多种电源管理场景。APA0714XAI-TRG 采用 SOT26 封装，便于在小型化电路板中布局，同时具备良好的散热性能。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：-20V
栅源电压 VGS：±12V
连续漏极电流 ID（@25°C）：-4A
导通电阻 RDS(on)（@VGS=4.5V）：≤45mΩ
导通电阻 RDS(on)（@VGS=2.5V）：≤60mΩ
功率耗散 PD：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT26
APA0714XAI-TRG 具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻 RDS(on) 使得在导通状态下功耗更低，从而提高了整体系统的效率。在 VGS=4.5V 时，RDS(on) 最大为 45mΩ，而在 VGS=2.5V 时也仅为 60mΩ，这使得该器件适用于低电压驱动电路。
其次，该 MOSFET 支持高达 -20V 的漏源电压，适用于多种中低压电源管理系统。其最大连续漏极电流为 -4A，在适当的散热条件下可满足大多数负载开关和 DC-DC 转换应用的需求。
此外，APA0714XAI-TRG 采用 SOT26 小型封装，适用于空间受限的便携式电子产品设计。其高功率耗散能力（1.5W）和宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）也使其在高温环境下依然保持稳定性能。
该器件还具备良好的热稳定性与抗静电能力，符合工业标准的可靠性要求，适合在工业控制、通信设备、消费类电子产品中使用。
APA0714XAI-TRG 广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式电子设备中的负载开关控制、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电源管理单元（PMU）以及各种低电压电源转换系统。其低导通电阻和小封装特性也使其非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备中的电源管理模块。
在工业应用中，该 MOSFET 可用于传感器电源控制、工业自动化设备中的电源切换、LED 照明驱动电路等场景。由于其具备良好的热稳定性和高可靠性，也适用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块。
Si2301DS, AO4407A, IRML2602TRPBF
