CPH3104 时间：2025/9/21 12:21:05 阅读：5

CPH3104是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高效率开关场合。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场截止工艺设计，具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优异的热稳定性，能够在高电流和高温环境下稳定运行。CPH3104封装在小型化的SOT-223或DPAK等功率封装中，便于集成于紧凑型电路板设计中，同时提供良好的散热性能。该MOSFET特别适用于需要高效能与小体积兼顾的应用场景，例如便携式设备电源系统、LED驱动电路、电池管理系统以及工业控制模块等。其高可靠性与坚固的结构设计也使其在恶劣工作环境中表现出色，具备较强的抗浪涌能力和抗静电能力（ESD保护），满足多种工业级和消费级产品的安全标准。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：40A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：160A
　　导通电阻（RDS(on) max）：4.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.0mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：2400pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：680pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（Ptot）：150W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：SOT-223 / DPAK

特性

CPH3104具备卓越的导通性能和开关特性，其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V条件下，最大仅为4.5mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。该特性尤其适合大电流应用场景，如电动工具、无人机动力系统及高亮度LED阵列驱动，能够有效减少发热并延长设备使用寿命。此外，得益于先进的沟道设计和硅片工艺优化，CPH3104在低栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，在VGS=4.5V时RDS(on)也仅6.0mΩ，支持3.3V逻辑电平直接驱动，兼容现代低电压控制IC，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该器件还具备出色的动态性能，具有较低的输入和输出电容（Ciss=2400pF，Coss=680pF），有助于减小开关过程中的能量损耗，提高开关频率上限，适用于高频DC-DC变换器和同步整流拓扑。其快速的反向恢复时间（trr=28ns）减少了体二极管在开关瞬间的反向恢复电荷，抑制了电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强了系统稳定性。CPH3104的热阻特性优良，典型结至外壳热阻（RthJC）约为0.83°C/W，结合SOT-223或DPAK封装自带的散热片，可实现高效的热量传导，确保长时间高负载运行下的可靠性。此外，器件通过了AEC-Q101汽车级认证，具备高抗湿性、耐焊接热冲击和长期稳定性，适用于严苛环境下的工业与车载应用。内置的栅极保护结构提供了±2kV HBM级别的ESD防护，增强了生产过程中的操作安全性。

应用

CPH3104广泛应用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于同步降压（Buck）和升压（Boost）转换器、直流电机驱动、电池供电设备的电源管理单元以及光伏逆变器中的功率级电路。在通信基础设施中，它可用于服务器电源模块和PoE（以太网供电）设备中的高效能DC-DC转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，常被选用于大功率LED照明驱动方案，特别是在户外照明和汽车照明系统中，能够实现高光效与长寿命。在工业自动化领域，CPH3104被集成于PLC输出模块、继电器替代电路和H桥电机控制器中，提供快速响应和低功耗控制。此外，在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、移动电源和无线充电发射端电路中，该器件也有广泛应用。得益于其符合RoHS环保标准且具备无铅封装选项，CPH3104也适用于对环保要求较高的绿色能源项目和智能家居控制系统。