时间：2025/5/30 10:50:42
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5AGXBA3D4F31C4N是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间取得了良好的平衡。其高可靠性设计使其在严苛的工作环境下仍能保持稳定表现。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：30nC
开关时间：开启时间 8ns，关断时间 12ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
5AGXBA3D4F31C4N具备超低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，从而提高整体效率。
该芯片的栅极驱动要求较低，适合搭配多种驱动电路使用。
快速的开关速度减少了开关损耗，特别适用于高频应用场合。
内置静电防护（ESD）功能，增强了芯片在实际应用中的抗干扰能力。
封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中集成。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
典型应用场景包括但不限于：
- 开关电源模块中的功率转换
- DC-DC转换器的核心功率器件
- 电动工具及家用电器中的电机驱动控制
- 各类负载开关和保护电路
- 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理单元
5AGXB9D4F31C4N, 4AGXBA3D4F31C4P
