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5AGXBA3D4F31C4N 发布时间 时间:2025/5/30 10:50:42 查看 阅读:8

5AGXBA3D4F31C4N是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在低导通电阻和快速开关性能之间取得了良好的平衡。其高可靠性设计使其在严苛的工作环境下仍能保持稳定表现。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:30nC
  开关时间:开启时间 8ns,关断时间 12ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

5AGXBA3D4F31C4N具备超低的导通电阻,能够有效降低导通损耗,从而提高整体效率。
  该芯片的栅极驱动要求较低,适合搭配多种驱动电路使用。
  快速的开关速度减少了开关损耗,特别适用于高频应用场合。
  内置静电防护(ESD)功能,增强了芯片在实际应用中的抗干扰能力。
  封装形式紧凑,便于在空间受限的设计中集成。

应用

该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
  典型应用场景包括但不限于:
  - 开关电源模块中的功率转换
  - DC-DC转换器的核心功率器件
  - 电动工具及家用电器中的电机驱动控制
  - 各类负载开关和保护电路
  - 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理单元

替代型号

5AGXB9D4F31C4N, 4AGXBA3D4F31C4P

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