BC858B T/R 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于通用开关和放大应用。该晶体管采用了SOT-23封装,适用于表面贴装技术(SMT),因此非常适合在高密度电路板设计中使用。BC858B T/R属于BC858系列,该系列包括BC858A、BC858B和BC858C三种型号,其主要区别在于电流增益(hFE)的不同。
类型:NPN双极性晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
电流增益(hFE):110至800(根据等级划分)
最大频率(fT):250MHz
封装类型:SOT-23
BC858B T/R 具有一系列优异的电气特性,适合多种应用场景。首先,其最大集电极-发射极电压为30V,使其能够在较高电压环境下稳定工作。其次,该晶体管的最大集电极电流为100mA,适用于低至中等功率的开关和放大应用。此外,BC858B T/R的电流增益(hFE)范围为220至450(根据不同的等级划分),使其在放大电路中具有良好的线性性能。该晶体管的工作频率可达到250MHz,适合高频放大应用。SOT-23封装不仅节省空间,还具备良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化贴片生产。
BC858B T/R 的引脚排列清晰,分别为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),便于在电路设计中正确连接。此外,该晶体管的功耗较低,最大为300mW,有助于降低整体系统的功耗并提高可靠性。BC858B T/R的温度范围通常为-55°C至+150°C,适用于各种工业和消费电子应用环境。
BC858B T/R 主要用于数字和模拟电路中的开关和放大功能。例如,在数字电路中,该晶体管可用于驱动继电器、LED和小型电机等负载。在模拟电路中,BC858B T/R可作为音频放大器中的前置放大级,提供良好的信号增益和线性度。此外,它还广泛应用于电源管理电路、传感器接口电路以及各种嵌入式系统中。由于其高频性能良好,BC858B T/R也可用于射频(RF)前端电路中的小信号放大。
BC858A T/R, BC858C T/R, 2N3904, BC547B