类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　连续漏极电流(Id)：15A
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω（最大）
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　功率耗散(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　漏极-源极击穿电压(BVdss)：500V
　　栅极电荷(Qg)：47nC（典型值）

IXTM15N50A的主要特性包括其高耐压能力（500V Vds）和能够在较高温度下稳定工作的能力。该MOSFET具有较低的Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度更快，进一步降低了开关损耗。TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。该MOSFET的设计优化了其热阻特性，使其能够在较为严苛的环境中可靠运行，适用于需要长时间运行的工业应用。
　　此外，IXTM15N50A具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在某些过载或短路情况下提供额外的保护。其栅极驱动要求较低，通常只需要简单的驱动电路即可实现高效开关操作，这使得它在设计复杂度和成本控制方面具有优势。同时，该器件的动态性能表现良好，适用于高频开关应用。

IXTM15N50A常用于各种高功率电子系统中，包括开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、电池充电器和DC-DC转换器等。在开关电源中，该MOSFET可以作为主开关元件，用于高效的能量转换；在电机控制系统中，它可以用于PWM（脉宽调制）控制，实现对电机速度和扭矩的精确调节；在太阳能逆变器中，IXTM15N50A可用于将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。此外，该器件还适用于工业自动化设备中的电源管理和功率控制模块，以及电动汽车中的能量管理系统。

IRFZ44N, FQP15N50C, STP15NF50, FDPF15N50