时间：2025/9/21 6:20:28
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CPH3104-TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、低功耗的电子电路中。该器件采用先进的沟槽型MOSFET制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优良的热稳定性等特点，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。CPH3104-TL封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，尺寸紧凑，非常适合对空间要求严格的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他消费类电子产品。该MOSFET设计用于在低电压控制逻辑下实现高效的功率切换，支持与现代微控制器和数字信号处理器直接接口，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。此外，CPH3104-TL符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足当前绿色电子产品的环保要求。由于其优异的电气性能和可靠性，该器件在工业控制、通信设备和电池供电系统中也得到了广泛应用。
型号：CPH3104-TL
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：500mA（@VGS=10V）
脉冲漏极电流IDM：1.6A
导通电阻RDS(on)：135mΩ（@VGS=10V）
导通电阻RDS(on)：180mΩ（@VGS=4.5V）
阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
输入电容Ciss：90pF（@VDS=15V）
输出电容Coss：45pF（@VDS=15V）
反向传输电容Crss：12pF（@VDS=15V）
栅极电荷Qg：3.5nC（@VGS=10V）
开启延迟时间td(on)：4ns
上升时间tr：6ns
关断延迟时间td(off)：12ns
下降时间tf：6ns
工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23 (SC-70)
安装类型：表面贴装（SMD）
CPH3104-TL具备多项优异的电气和物理特性，使其成为低功率开关应用中的理想选择。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，特别是在大电流或长时间运行的应用中，有助于提高系统效率并减少发热。在VGS=10V时，RDS(on)仅为135mΩ，在VGS=4.5V时为180mΩ，表明该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通性能，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的场合。其次，该MOSFET具有快速的开关响应能力，开启延迟时间仅4ns，上升时间为6ns，关断延迟时间为12ns，配合较低的栅极电荷（Qg=3.5nC），使得器件能够在高频开关环境中高效工作，适用于DC-DC转换器和同步整流等需要高速切换的应用场景。
此外，CPH3104-TL采用了先进的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，提升了电流密度和热稳定性。其最大结温可达+150°C，具备良好的热保护能力，能够在高温环境下稳定运行。输入、输出和反向传输电容均处于较低水平（Ciss=90pF, Coss=45pF, Crss=12pF），有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。该器件还具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，提高了在瞬态过压和浪涌条件下的可靠性。SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模制造。同时，该器件符合RoHS和无卤素标准，体现了环保设计理念。
CPH3104-TL广泛应用于多种低电压、小电流的功率开关和信号切换场合。在便携式电子设备中，常用于电池供电系统的电源管理模块，作为负载开关或电源路径控制器，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以延长电池续航时间。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可作为同步整流开关，替代传统二极管以降低导通压降，提高转换效率。此外，它也被用于LED驱动电路中，作为恒流调节或调光控制的开关元件，确保亮度稳定且功耗最低。
在工业和通信领域，CPH3104-TL可用于传感器信号调理电路中的模拟开关，或作为继电器替代方案用于低功率继电器驱动电路，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。在微控制器I/O扩展应用中，该器件可用于驱动蜂鸣器、小型继电器或LED指示灯等外围设备。由于其支持逻辑电平直接驱动，无需额外的驱动IC，因此在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中尤为受欢迎。此外，该MOSFET还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及USB电源开关等应用场景，提供可靠的过流和短路保护功能。凭借其高可靠性、小尺寸和高效率，CPH3104-TL已成为现代电子设计中不可或缺的功率开关元件之一。
DMG3415U,DMP3015SKB,FDG330N,FDC630P,SI2302DS
