时间：2025/7/11 17:01:41
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FN15N1R5C500PNG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性，广泛应用于需要高效能和低损耗的电路中。其封装形式为标准的表面贴装类型，便于自动化生产和安装。
该型号适用于多种电力电子应用场合，例如开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器以及其他需要高频切换或负载控制的场景。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.5Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FN15N1R5C500PNG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：能够承受高达 500V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为 1.5Ω，从而减少了传导损耗并提高了效率。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷使得该 MOSFET 具有更快的开关速度，减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力：支持高达 15A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
5. 稳定的工作温度范围：可在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内可靠运行。
6. 小尺寸封装：便于表面贴装技术（SMT）使用，简化生产流程并降低制造成本。
这款 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机或其他类型的电机控制。
3. DC-DC 转换器：实现高效的电压转换。
4. 电池管理系统：用于保护电路和负载切换。
5. 工业自动化设备：如变频器、逆变器和其他工业级电子系统。
6. 消费类电子产品：例如充电器、适配器和家用电器中的功率管理模块。
IRF840, STP15NF06, FQP16N50
