CPF210K000FKE14 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,适用于高频开关和高效率电力转换场景。该器件采用了先进的封装技术以优化散热性能,并具备低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合用于电源适配器、无线充电器以及 DC-DC 转换器等应用。
型号:CPF210K000FKE14
类型:GaN 功率晶体管
额定电压:650V
额定电流:10A
导通电阻:10mΩ
最大工作温度:175°C
封装形式:TO-220
输入电容:90pF
输出电容:30pF
反向恢复时间:无反向恢复特性
CPF210K000FKE14 的核心优势在于其使用了氮化镓材料,这使得它能够提供比传统硅基 MOSFET 更高的开关速度和更低的导通损耗。
1. 高效开关能力:得益于 GaN 技术,CPF210K000FKE14 在高频条件下仍能保持较低的开关损耗。
2. 低导通电阻:仅 10mΩ 的 Rds(on) 确保在大电流应用中具有出色的导通效率。
3. 热管理:TO-220 封装提供了良好的散热路径,确保器件能够在高温环境下稳定运行。
4. 安全性:内置保护机制可防止过流及短路情况下的损坏。
此外,CPF210K000FKE14 不具备体二极管反向恢复问题,从而减少了能量损耗并提升了系统整体效率。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换的领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS)
2. 电动汽车车载充电器
3. 工业电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 快速充电器
6. 数据中心电源模块
由于其高频特性和高效率表现,CPF210K000FKE14 成为现代紧凑型电源设计的理想选择。
CPF210K000FJE14
CPF210K000FHE14
STGAP100N65C3
GAN063-650WSA