IRLR7801Z 时间：2025/12/26 21:26:49 阅读：8

IRLR7801Z是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和硅基技术制造，具有低导通电阻、高电流处理能力和优良的热稳定性等特点。其封装形式为直插式的TO-220AB，适用于多种工业、消费类电子及计算机电源应用。IRLR7801Z特别适合在同步整流、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中使用，能够有效降低系统功耗并提升整体效率。该MOSFET设计用于在40V的漏源电压下工作，具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。此外，其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，从而支持高频操作下的节能需求。由于采用了可靠的制造工艺，IRLR7801Z在长期运行中表现出优异的可靠性和耐用性，是许多中低电压功率应用中的理想选择之一。

参数

型号：IRLR7801Z
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：62 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：248 A
　　导通电阻Rds(on) @最大值：13 mΩ
　　导通电阻Rds(on) @测试条件：Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）@测试条件：27 nC @ Vgs = 10 V
　　输入电容（Ciss）：1375 pF @ Vds = 20 V
　　功率耗散（Pd）：90 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装/外壳：TO-220AB

特性

IRLR7801Z具备出色的电气与热性能，使其成为高性能功率开关的理想选择。其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值仅为13mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这种低Rds(on)特性尤其适用于大电流应用场景，如电池供电设备或高密度电源模块，可有效减少发热并简化散热设计。该器件还展现出优异的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg=27nC）和输入电容（Ciss=1375pF），能够在高频开关电路中实现快速响应，从而减小无源元件尺寸并提高功率密度。
　　IRLR7801Z具备良好的热稳定性与可靠性，在175°C的最高结温下仍能稳定运行，确保在恶劣环境或高负载条件下不发生性能退化。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于工业级和汽车级应用。此外，该MOSFET具有一定的雪崩能量承受能力，可在电压瞬变或感性负载关断时提供一定程度的自我保护，增强了系统鲁棒性。TO-220AB封装不仅提供了良好的机械强度，还具备较高的热传导效率，可通过外接散热片进一步提升散热能力。
　　该器件对驱动电路的要求较为温和，栅极阈值电压在2.0V到3.0V之间，兼容大多数逻辑电平信号源，便于与微控制器或专用驱动IC直接接口。同时，其高脉冲电流能力（可达248A）使其适用于短时过载或启动冲击电流较大的场合。综合来看，IRLR7801Z凭借其低损耗、高效率、强健的结构设计和广泛的适用性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元器件。

应用

IRLR7801Z广泛应用于各类需要高效直流开关控制的电子系统中。常见用途包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和嵌入式电源模块中，利用其低导通电阻来最小化转换损耗，提升电源效率。在电机驱动电路中，该MOSFET可用于H桥配置中的低端或高端开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，其高电流承载能力确保了在重载情况下的稳定运行。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，作为负载隔离或保护元件，防止反向电流或过流损坏电池组。
　　在电源管理领域，IRLR7801Z适用于热插拔控制器、OR-ing电路以及多电源冗余切换系统，其快速开关特性和低导通压降有助于实现无缝电源切换并减少功率浪费。工业自动化设备中的固态继电器替代方案也常采用此类MOSFET，以实现无触点、长寿命的开关控制。此外，该器件还可用于LED驱动电源、太阳能充电控制器、UPS不间断电源以及各类消费类电子产品中的负载开关应用。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定性，亦可用于汽车电子辅助系统，如车载照明控制、风扇驱动或小型泵类控制电路中，满足车规级环境下的运行要求。