CPB8120-0211 是一款由Cree(科锐)公司生产的SiC(碳化硅)功率模块,专为高功率密度和高效能的电力电子应用设计。该模块采用了先进的碳化硅半导体技术,具有优异的热性能和电气性能,适用于高频率、高效率的功率转换系统。
类型:SiC功率模块
材料:碳化硅(SiC)
结构:双管(Dual Transistor)
额定电压:1200V
额定电流:80A
导通压降:约2.1V(典型值)
最大工作温度:175°C
封装类型:双列直插式(Dual-in-Line)
绝缘方式:标准绝缘
封装尺寸:根据具体封装类型而定
热阻:约0.35°C/W(典型值)
CPB8120-0211 是一款基于碳化硅技术的功率模块,其核心特性主要体现在高效能、高可靠性和优异的热管理能力上。首先,该模块采用了碳化硅半导体材料,相较于传统的硅基IGBT模块,碳化硅器件具有更高的带隙能量,这使得其在高温和高电压条件下仍能保持稳定的性能。此外,碳化硅材料的导通损耗和开关损耗显著低于硅基器件,特别适用于高频开关应用,有助于提高系统的整体效率并减小无源元件的尺寸。
其次,该模块的额定电压为1200V,额定电流为80A,适用于中高功率级别的应用。其导通压降较低(约2.1V),在实际应用中可以减少导通损耗,提高系统效率。此外,该模块的最大工作温度可达175°C,表现出良好的高温耐受能力,适用于高温环境下的工作场景。
CPB8120-0211 采用了双列直插式封装结构,便于安装和散热管理。其热阻约为0.35°C/W,表明其具有良好的散热性能,能够在高功率运行时有效降低结温,从而提高器件的可靠性和寿命。模块的绝缘方式为标准绝缘设计,能够满足大多数工业应用的安全要求。
此外,该模块具有较高的短路耐受能力和优异的抗电磁干扰(EMI)性能,使其在高频率开关应用中表现出色。这些特性使得 CPB8120-0211 非常适合用于电动汽车(EV)充电器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动和高效率电源转换系统等应用场景。
CPB8120-0211 由于其高性能的碳化硅特性和可靠的封装设计,广泛应用于多个高功率电子系统领域。它在电动汽车(EV)充电基础设施中用于高效率的直流快充系统,能够显著提高充电效率并减少系统发热。在可再生能源领域,如太阳能逆变器和风力发电系统中,该模块可以提升能量转换效率,并支持高频开关操作以减小系统体积和重量。此外,该模块还常用于工业电机驱动和伺服系统,提供高效率和高响应速度的电力控制解决方案。在储能系统和不间断电源(UPS)设备中,CPB8120-0211 也有广泛的应用,确保能量的高效转换和系统的长期稳定性。
CAB450M12XM3, CPW2-1200-50, SCT3040KL, SiKHG08120TF1