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W631GU8MB12I TR 发布时间 时间:2025/8/20 17:11:35 查看 阅读:10

W631GU8MB12I TR是一款由Winbond公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高速DRAM产品线。这款芯片被设计用于高性能计算、网络设备、工业控制以及嵌入式系统等应用场景。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于表面贴装技术(SMT)以满足现代电子设备对空间和可靠性的需求。W631GU8MB12I TR的工作温度范围符合工业级标准,使其能够在较宽的环境温度范围内稳定运行,非常适合用于严苛的工作环境。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  组织结构:16M x 16(256MB)
  接口类型:并行接口(x16)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54引脚

特性

W631GU8MB12I TR的特性之一是其高速性能,能够提供高达166MHz的时钟频率和5.4ns的访问时间,这使其适用于需要快速数据存取的高性能系统。此外,该芯片支持异步操作,允许在不同的系统时钟频率下灵活使用,从而提高了其在多种应用中的兼容性。该DRAM芯片还具备低功耗设计,能够在保持高性能的同时降低整体功耗,这对需要长时间运行的嵌入式设备和工业控制系统尤为重要。
  该芯片采用TSOP封装技术,提供了良好的电气性能和散热能力,同时具备较高的可靠性和耐用性。这种封装形式适合在空间受限的环境中使用,尤其是在便携式电子设备和高密度电路板设计中。此外,W631GU8MB12I TR的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,可以在各种严苛的环境条件下稳定运行。
  另一个显著的特性是其宽电压范围(2.3V至3.6V),这使得该芯片能够适应多种电源设计,提高了在不同应用场景中的灵活性。该特性对于需要在不同电压条件下工作的设备尤其重要,例如在电池供电系统中,电源电压可能会波动。

应用

W631GU8MB12I TR广泛应用于需要大容量高速存储的设备中。常见的应用包括网络设备,如路由器和交换机,在这些设备中需要高速数据缓存来处理大量的网络流量。此外,该芯片也常用于工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业自动化设备,其中稳定性和可靠性是关键因素。
  在消费电子领域,W631GU8MB12I TR可以用于高性能游戏机、多媒体设备以及智能电视等产品,为这些设备提供足够的内存支持,以保证流畅的用户体验。该芯片还适用于嵌入式系统,如医疗设备、测试仪器以及安全监控系统,这些系统通常需要在高温或其他恶劣环境下长时间运行。
  由于其低功耗和宽电压范围的特性,该芯片也适用于电池供电设备,例如便携式数据采集器、手持终端以及移动通信设备。在这些应用中,电源效率和运行时间是设计的关键因素。

替代型号

IS42S16400J-6T, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V124SA90PDGI

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W631GU8MB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)