类型：射频功率晶体管
　　工艺技术：SiC（碳化硅）
　　工作频率：最大可达2.7 GHz
　　输出功率：400 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　漏极电流：10 A
　　增益：>14 dB（典型值）
　　效率：>65%
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　阻抗匹配：内部匹配输入和输出

CPB7240-0211晶体管具有多项优异的电气和热性能，确保其在高强度射频功率应用中的稳定性和可靠性。其采用的SiC技术提供了更高的热导率和更高的最大工作温度，使其在高温环境下依然能保持出色的性能。此外，该器件具有高击穿电压和良好的线性度，适用于需要高保真度放大的系统。晶体管的内部匹配设计简化了外围电路的要求，减少了设计复杂性，并提高了系统的整体效率。此外，CPB7240-0211在高功率条件下具备良好的稳定性和较低的失真，使其适用于多种高要求的射频应用，包括广播、通信和工业加热等。
　　CPB7240-0211的另一个关键特性是其强大的耐用性和长使用寿命，这得益于其坚固的陶瓷金属封装设计和优异的热管理能力。它能够在高功率、高频率条件下长时间稳定运行，减少系统维护需求并提高整体设备可靠性。此外，该晶体管支持宽频带操作，适合多种频率范围下的放大需求，为系统设计提供了更大的灵活性。

CPB7240-0211广泛应用于各种射频功率系统，包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备、广播发射机、专业通信系统（如公共安全和军事通信）、射频加热系统、测试和测量设备等。该晶体管特别适合需要高输出功率、高效率和高稳定性的应用场景，如短波广播、UHF电视发射器、宽带通信和射频能量应用等。其高性能特性也使其成为现代无线基础设施中关键的功率放大器元件。

CPA1240, CGH40049, CGH40010