KTC2482 时间：2025/12/28 15:27:34 阅读：15

KTC2482是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率开关电路和电源管理系统中。该器件采用了先进的硅栅极技术，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，使其在高电流负载下仍能保持良好的性能。KTC2482通常采用TO-252（DPAK）封装形式，适合用于需要高效能和高可靠性的电子设备中，如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机驱动电路等。该器件设计用于在高频率下工作，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC2482的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的最大漏极电流可达120A，适用于高电流应用，如大功率电源转换器和电动工具驱动电路。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，最大漏源电压为60V，使其能够在较高电压环境下稳定运行。栅源电压容限为±20V，为设计者提供了较大的栅极驱动灵活性，并有助于防止因栅极过电压而导致的损坏。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，其TO-252封装设计有助于有效散热，避免在高功率操作下发生热失效。同时，其最大功率耗散为120W，支持高负载条件下的连续运行。
　　KTC2482的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车电子应用。其高频开关能力也有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统集成度。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和稳定性。

应用

KTC2482被广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高频开关操作，提高能量转换效率并减小电源模块的体积。在电池管理系统（BMS）中，KTC2482可作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电过程，保护电池组免受过流和短路损坏。
　　该器件也常用于负载开关电路，如电机驱动器、LED照明驱动器和电源管理模块，其高电流承载能力和低导通电阻特性使其在这些应用中表现出色。此外，在电动工具和电动车控制器中，KTC2482可作为主开关器件，控制大功率电机的运行。
　　由于其良好的热稳定性和耐高温能力，KTC2482也适用于高温环境下的工业控制系统和车载电子设备。例如，在汽车OBC（车载充电器）和逆变器中，该MOSFET可提供稳定可靠的功率控制功能。