类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@ 25°C：110A
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs=10V：5.8mΩ
　　导通电阻 Rds(on) @ Vgs=4.5V：8.5mΩ
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　晶体管配置：单通道
　　封装类型：表面贴装（SMD）

CMV1026YR 的核心特性之一是其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时仅为 5.8mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，在 25°C 下可支持高达 110A 的连续漏极电流，适合高功率应用。该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热，确保在高负载下稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较高的栅极击穿耐受能力，适用于各种驱动电路设计。其在 Vgs=4.5V 时仍能提供较低的导通电阻（8.5mΩ），支持低电压驱动应用，适用于同步整流、电池供电系统等场景。
　　CMV1026YR 的另一个显著特点是其出色的热稳定性和可靠性。其能够在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内工作，适用于严苛的工业和汽车环境。PowerFLAT 封装无引脚设计，有利于节省 PCB 空间并提升装配效率，适合高密度电路设计。
　　该 MOSFET 还具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、PWM 控制电路等。其快速开关能力有助于提升电源系统的整体效率，并减少能量损耗。

CMV1026YR 广泛应用于各种高功率密度和高效率需求的电子系统中。典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关和电源分配系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件在高性能电源模块和服务器电源系统中尤为适用。
　　此外，该 MOSFET 在汽车电子领域也有广泛应用，如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器和电池保护电路等。其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于车载高温和高振动环境。
　　在工业自动化和电机控制领域，CMV1026YR 可用于 H 桥驱动电路、直流电机控制和负载开关应用。其快速开关特性和低导通压降有助于提高系统效率并降低发热。
　　对于便携式设备和电源管理系统，该器件可作为负载开关或同步整流器使用，以提升能效并延长电池寿命。

STL110N3LLF
　　IRF110N3LL
　　IPD110N3LL