JTX1N6164A 时间：2025/8/4 22:50:06 阅读：15

JTX1N6164A 是一种高压、高频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于高效率电源转换器、开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，能够承受较高的工作电压和较大的电流，是现代高效率电源系统中常用的功率开关器件之一。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

JTX1N6164A MOSFET具备多项优异特性，适合高效率电源转换应用。其600V的高耐压能力使其适用于高输入电压的电源系统，例如通用AC输入的电源适配器和服务器电源。漏源导通电阻RDS(on)最大为0.55Ω，这意味着在导通状态下器件的功率损耗较低，有助于提高整体系统的效率。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度的设计。此外，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用，如谐振变换器和LLC变换器。该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
　　JTX1N6164A的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备较强的环境适应能力，适用于工业级和高温环境应用。器件的栅极驱动电压范围为±20V，支持标准的10V或12V驱动电路，兼容常见的MOSFET驱动IC。

应用

JTX1N6164A适用于多种电源管理应用，包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、PFC（功率因数校正）电路、高电压适配器和充电器、LED驱动器以及工业电源系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在高效率、高频率的电源拓扑结构（如LLC谐振变换器、半桥和全桥拓扑）中表现出色。此外，该MOSFET也可用于电机控制、UPS不间断电源和光伏逆变器等功率电子设备。