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101X15N270MV4E 发布时间 时间:2025/6/3 17:59:35 查看 阅读:6

101X15N270MV4E 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,主要用于高频率和高效率的电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术和增强型 GaN 场效应晶体管设计,能够提供卓越的性能和可靠性。其 270mΩ 的导通电阻以及极低的栅极电荷特性,使其非常适合于高频 DC-DC 转换器、开关电源和其他要求高效率的应用场景。
  此外,101X15N270MV4E 在设计上注重热管理和电气性能优化,确保了在各种严苛工作条件下的稳定运行。

参数

型号:101X15N270MV4E
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
  最大漏源电压:150V
  导通电阻:270mΩ
  连续漏极电流:4A
  栅极电荷:3nC
  输入电容:980pF
  输出电容:30pF
  反向传输电容:12pF
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

101X15N270MV4E 具有以下关键特性:
  1. 增强型 GaN 技术带来更小的尺寸和更高的效率。
  2. 极低的导通电阻和栅极电荷使得开关损耗显著降低。
  3. 高速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率。
  4. 出色的热性能,确保高温环境下的可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。
  6. 内置保护机制,如过流保护和短路保护,提升了整体系统的安全性。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 高频 DC-DC 转换器。
  2. 开关电源(SMPS)。
  3. LED 驱动器。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 太阳能微型逆变器。
  6. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
  7. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

101X15N250MV4E
  101X15N300MV4E

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101X15N270MV4E参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列X2Y®
  • 电容27pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±20%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用旁通,去耦
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.040"(1.02mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESL 型(X2Y)
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称Q4513287D