时间：2025/6/3 17:59:35
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101X15N270MV4E 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，主要用于高频率和高效率的电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术和增强型 GaN 场效应晶体管设计，能够提供卓越的性能和可靠性。其 270mΩ 的导通电阻以及极低的栅极电荷特性，使其非常适合于高频 DC-DC 转换器、开关电源和其他要求高效率的应用场景。
此外，101X15N270MV4E 在设计上注重热管理和电气性能优化，确保了在各种严苛工作条件下的稳定运行。
型号：101X15N270MV4E
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：150V
导通电阻：270mΩ
连续漏极电流：4A
栅极电荷：3nC
输入电容：980pF
输出电容：30pF
反向传输电容：12pF
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
101X15N270MV4E 具有以下关键特性：
1. 增强型 GaN 技术带来更小的尺寸和更高的效率。
2. 极低的导通电阻和栅极电荷使得开关损耗显著降低。
3. 高速开关能力，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 出色的热性能，确保高温环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 内置保护机制，如过流保护和短路保护，提升了整体系统的安全性。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 开关电源（SMPS）。
3. LED 驱动器。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 太阳能微型逆变器。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
7. 工业自动化设备中的功率管理模块。
101X15N250MV4E
101X15N300MV4E
