晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23-6

CMUDM7001 TR 的主要特性包括两个高度匹配的 NPN 晶体管，封装在一个 SOT-23-6 小型封装中，适用于高密度 PCB 布局。
　　该器件具有优异的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能一致，适合用于精密模拟电路中的差分对管应用。
　　晶体管之间具有良好的电气匹配特性，包括增益（hFE）、截止频率（fT）和基极-发射极电压（VBE）的一致性，这对于需要对称性和稳定性的电路设计至关重要。
　　CMUDM7001 TR 的最大集电极电流为 100mA，适用于中低功率的放大和开关应用。
　　其高频响应可达 100MHz，适合用于射频和高速数字电路中的信号处理环节。
　　该器件还具有良好的热阻性能，能够在较高环境温度下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
　　此外，CMUDM7001 TR 采用无铅环保封装，符合 RoHS 指令要求，适用于现代电子制造中的环保标准。

CMUDM7001 TR 主要应用于需要双晶体管匹配的电路中，如差分放大器、推挽输出级、H 桥驱动电路、电平转换电路、逻辑门电路等。
　　在音频放大器设计中，该器件可作为差分输入对管，提供良好的线性度和低失真性能。
　　在数字电路中，CMUDM7001 TR 可用于构建双稳态触发器、缓冲器和电平转换器，确保信号传输的稳定性。
　　该器件还广泛用于传感器接口电路中，例如温度传感器、压力传感器等，利用其匹配特性提高测量精度。
　　在电源管理电路中，CMUDM7001 TR 可作为双路负载开关或电流镜像电路，实现电流的精确控制。
　　此外，该晶体管阵列还可用于电机驱动、LED 驱动和继电器控制等应用场景，提供可靠的开关性能。

BC857BDS, MMBT2907A, 2N3904, 2N4401