类型：SiC MOSFET 功率模块
　　拓扑结构：半桥
　　额定电压：650V
　　额定电流：25A
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装尺寸：22mm x 10.3mm x 3.8mm
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 25mΩ
　　漏源击穿电压（Vds）：650V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 42nC
　　最大工作频率：高达 200kHz
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　绝缘等级：符合 IEC/EN 60747-17 标准
　　热阻（Rth）：结至外壳典型值 0.8K/W

CMPA601C025F 是一款基于碳化硅技术的高性能功率模块，具有多项先进的设计特性和性能优势。该模块采用 SiC MOSFET 技术，相较于传统的硅基 MOSFET 或 IGBT，具有更低的开关损耗和导通损耗，从而显著提高系统效率并减少散热需求。模块内部采用半桥拓扑结构，集成两个 SiC MOSFET，适用于多种拓扑结构如降压、升压、半桥和全桥转换器。该模块的封装设计优化了热管理和电气性能，支持高功率密度和紧凑型电源系统设计。此外，模块支持高达 200kHz 的工作频率，适用于高频开关电源应用，有助于减小外围电感和电容的体积，提高系统响应速度和动态性能。其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）和高绝缘等级确保模块在恶劣环境下的可靠运行。该模块符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合工业、汽车和可再生能源等多个领域应用。
　　CMPA601C025F 的另一个显著优势是其易于集成和使用。模块提供标准的封装形式和引脚配置，便于与现有 PCB 设计兼容，并简化了设计和制造流程。其低寄生电感设计减少了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高了系统的稳定性和可靠性。模块内部的 SiC MOSFET 具有优异的短路耐受能力和过流保护性能，有助于增强系统的安全性和稳定性。此外，模块还具备出色的抗湿热和抗振动性能，适用于各种严苛的应用环境，包括电动汽车充电桩、工业伺服驱动器、UPS 不间断电源以及光伏逆变器等。综上所述，CMPA601C025F 是一款高效、高可靠性和高集成度的功率模块，为高性能功率转换系统提供了理想的解决方案。

CMPA601C025F 主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率转换系统。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、工业电机驱动器、伺服驱动系统、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、储能系统以及高密度电源转换器等。该模块的高频工作能力使其适用于需要减小磁性元件体积的高功率密度设计，同时其低开关损耗和导通损耗有助于提高整体系统效率并降低散热需求。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电系统和电驱逆变器，以提高能效和续航能力。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和储能系统，该模块能够提升能量转换效率并延长系统寿命。此外，该模块还适用于工业自动化设备、医疗电源、数据中心服务器电源等对效率和可靠性有较高要求的应用场景。

CMF300D12A, SCT3045KL, SiC MOSFET 半桥模块（例如 Wolfspeed 的 CAS300M12BM2）