CMLDM8120TG 是一款由 Cissoid 公司生产的高温、高边 N 沟道 MOSFET 驱动器集成电路。该器件专为在极端温度环境下运行而设计,能够在 -55°C 至 +225°C 的宽温度范围内稳定工作。CMLDM8120TG 适用于需要高可靠性和耐高温性能的应用,例如汽车电子、航空航天、工业控制以及井下勘探设备等。该驱动器集成了高边驱动器和电平转换功能,能够有效驱动外部 N 沟道 MOSFET,适用于半桥或全桥拓扑结构。
类型:高边 MOSFET 驱动器
工作温度范围:-55°C 至 +225°C
电源电压范围:10V 至 30V
输出电流能力:典型值 300mA(峰值)
传播延迟:典型值 150ns
共模瞬态抗扰度(CMTI):>100kV/μs
工作模式:电平转换高边驱动
封装类型:TSSOP-16
绝缘等级:符合汽车级和航空航天级标准
CMLDM8120TG 的最大特点在于其卓越的耐高温性能,能够在高达 +225°C 的环境中稳定运行,这使其成为极端工况下电力电子系统的理想选择。其内置的电平转换器允许控制器在低压侧控制高压侧的 MOSFET 开关,从而实现高效的高边驱动。此外,该驱动器具有出色的抗电磁干扰(EMI)能力和高共模瞬态抗扰度(CMTI),确保在高噪声环境中仍能可靠工作。
该器件采用 TSSOP-16 封装,具有较小的封装尺寸和良好的热管理能力,适用于空间受限的应用。其传播延迟较低,典型值为 150ns,可确保快速响应和精确控制,适用于高频开关应用。此外,CMLDM8120TG 还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在供电电压不足时产生不稳定的驱动信号,从而保护外部功率器件不受损害。
该驱动器支持宽范围的电源电压输入(10V 至 30V),使其适用于多种供电方案,包括电池供电系统和工业电源系统。CMLDM8120TG 符合 AEC-Q100 汽车级认证,适用于各种高可靠性要求的汽车电子应用,如混合动力汽车(HEV)、电动汽车(EV)以及电动助力转向系统(EPS)等。
CMLDM8120TG 主要应用于需要耐高温和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车和混合动力汽车中的电机驱动、DC-DC 转换器、OBC(车载充电器)以及电池管理系统(BMS)。此外,它还广泛用于航空航天和井下勘探设备中的高温环境电源管理模块。由于其优异的电气性能和耐温能力,CMLDM8120TG 也可用于工业电机控制、高功率 LED 照明驱动以及太阳能逆变器等高可靠性工业设备。
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