时间：2025/4/24 16:07:45
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CMFB103J3450HANT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种电源管理领域，如 DC-DC 转换器、开关电源和电机驱动等。
型号：CMFB103J3450HANT
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：3.4mΩ
总功耗(Ptot)：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CMFB103J3450HANT 的主要特点是其低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。这使得它在开关应用中能够显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
此外，这款 MOSFET 具有快速的开关速度，可以减少开关损耗并支持高频操作。其坚固的设计确保了在极端温度条件下的可靠运行，并且具备良好的热性能以帮助散热。
由于采用了 TO-263 封装，该器件易于安装和使用，同时提供了良好的电气隔离性能。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 通信设备中的电源管理模块
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节单元
其强大的电流承载能力和低 Rds(on) 特性使其成为这些应用的理想选择。
CMFB103J3450GAN, CMFB103J3450EANT
