PESDNC2XD5V5BHF 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的双向静电防护 (ESD) 二极管阵列,专为高速信号线提供瞬态电压抑制保护。该器件具有超低电容特性,适用于高速数据接口(如 USB、HDMI 和以太网)中的过压保护。
由于其高击穿电压和快速响应时间,这款 ESD 防护器件能够在不影响信号完整性的前提下有效保护敏感电子设备免受静电放电及其他瞬态电压威胁。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:±10A
响应时间:≤1ps
结电容:0.3pF
最大工作温度:-40°C 至 +125°C
封装形式:DFN0603-2
1. 超低结电容(0.3pF),非常适合高速信号应用。
2. 双向保护设计,可支持多种信号类型。
3. 快速响应时间(≤1ps),能够及时抑制瞬态电压。
4. 高度可靠的 GaN 材料,确保长期稳定运行。
5. 小型封装(DFN0603-2),节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
7. 工作温度范围宽广(-40°C 至 +125°C),适应多种环境条件。
PESDNC2XD5V5BHF 主要用于高速数据接口的静电防护和瞬态电压抑制,典型应用场景包括:
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI 数据线保护。
3. DisplayPort 信号线保护。
4. 以太网接口保护。
5. 移动设备和其他便携式电子产品的 I/O 端口保护。
6. 汽车电子系统中的高速通信线路保护。
PESD2XD5V5B, PESD5V0X1BTA, SM712