您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CMF18A

CMF18A 发布时间 时间:2025/7/10 2:52:03 查看 阅读:14

CMF18A是一种高频射频功率场效应晶体管(RF Power FET),广泛应用于无线通信、广播系统以及工业科学医疗(ISM)领域中的射频功率放大器。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高增益、高效率和良好的线性度,适用于工作频率在几十MHz到几百MHz范围内的应用环境。
  CMF18A具有优异的热稳定性和可靠性,能够承受较大的输出功率而不损坏。同时,其设计优化了阻抗匹配网络,使得与其他射频组件集成时更加方便。

参数

最大耗散功率:50W
  漏源电压:50V
  栅源电压:±20V
  工作电流:4A
  截止频率:300MHz
  增益:20dB
  导通电阻:0.5Ω
  封装形式:TO-247

特性

CMF18A具有以下显著特性:
  1. 高功率处理能力,峰值功率可达50W,适合大功率射频应用场景。
  2. 优秀的射频性能,包括较高的增益(20dB)和较低的导通电阻(0.5Ω)。
  3. 宽带操作范围,能够在几十MHz至300MHz的频率范围内稳定运行。
  4. 热稳定性强,内置保护机制可防止因过热导致的永久性损坏。
  5. 可靠性高,符合严格的军工级和工业级标准,确保长时间工作的稳定性。
  6. 易于与外部电路匹配,简化了射频功率放大器的设计过程。

应用

CMF18A主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大模块。
  2. 广播系统中用于信号放大的关键组件。
  3. 工业、科学和医疗设备中的射频能量发生器。
  4. 测试测量仪器中的射频信号源。
  5. 民用或专业无线电设备的功率输出级。
  6. 其他需要高效射频功率转换的应用场景。

替代型号

CMF18B, CMF19A, RF18G

CMF18A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CMF18A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载