CMF18A是一种高频射频功率场效应晶体管(RF Power FET),广泛应用于无线通信、广播系统以及工业科学医疗(ISM)领域中的射频功率放大器。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备高增益、高效率和良好的线性度,适用于工作频率在几十MHz到几百MHz范围内的应用环境。
CMF18A具有优异的热稳定性和可靠性,能够承受较大的输出功率而不损坏。同时,其设计优化了阻抗匹配网络,使得与其他射频组件集成时更加方便。
最大耗散功率:50W
漏源电压:50V
栅源电压:±20V
工作电流:4A
截止频率:300MHz
增益:20dB
导通电阻:0.5Ω
封装形式:TO-247
CMF18A具有以下显著特性:
1. 高功率处理能力,峰值功率可达50W,适合大功率射频应用场景。
2. 优秀的射频性能,包括较高的增益(20dB)和较低的导通电阻(0.5Ω)。
3. 宽带操作范围,能够在几十MHz至300MHz的频率范围内稳定运行。
4. 热稳定性强,内置保护机制可防止因过热导致的永久性损坏。
5. 可靠性高,符合严格的军工级和工业级标准,确保长时间工作的稳定性。
6. 易于与外部电路匹配,简化了射频功率放大器的设计过程。
CMF18A主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的射频功率放大模块。
2. 广播系统中用于信号放大的关键组件。
3. 工业、科学和医疗设备中的射频能量发生器。
4. 测试测量仪器中的射频信号源。
5. 民用或专业无线电设备的功率输出级。
6. 其他需要高效射频功率转换的应用场景。
CMF18B, CMF19A, RF18G