类型：CMOS SRAM
　　容量：64 Mbit (4M × 16)
　　组织结构：4,194,304字 × 16位
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：10 ns / 12 ns / 15 ns（根据型号后缀）
　　工作电流：典型值 180 mA（最大 250 mA）
　　待机电流：最大 10 μA（CMOS输入）
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL 兼容
　　封装形式：86-pin TSOP Type II
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持电压：最低 2.0 V
　　写保护功能：片内写使能/写禁止控制

MB87J6760具备多项先进的电气和物理特性，使其在同类SRAM产品中表现出色。首先，其超快的访问时间（最快达10ns）确保了在高频系统时钟下仍能实现无缝的数据读写，适用于高速缓存、帧缓冲和实时数据采集等对响应速度要求极高的应用场景。其次，该芯片采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速性能的同时实现了极低的功耗，尤其是在待机模式下，通过进入低功耗待机状态（当CE1为高电平时自动激活），可将电流消耗降至微安级别，极大延长了电池供电设备的续航时间。
　　该器件具有全静态操作特性，无需刷新周期，简化了系统设计并降低了控制器的复杂度。其16位并行数据总线结构支持高吞吐量数据传输，适合图像处理、通信协议处理和数字信号缓冲等需要宽数据通道的应用。所有输入端均兼容LVTTL电平，可直接与多种主流微处理器、DSP和FPGA无缝对接，减少了电平转换电路的需求，提高了系统集成度。
　　MB87J6760还具备高可靠性和强抗干扰能力。芯片内部集成了错误检测与纠正辅助逻辑（虽非ECC内置，但信号完整性设计良好），配合外部控制器可构建高可用性存储子系统。其TSOP封装采用JEDEC标准尺寸，支持自动化贴片生产，并具备优良的热稳定性和机械强度。此外，该器件通过了严格的工业级认证，能够在极端温度、湿度和振动环境下长期稳定运行，适用于军工、航空电子和工业自动化等关键任务系统。写使能（WE）、片选（CE1/CE2）和输出使能（OE）控制信号的设计允许灵活的存储管理，支持突发写入、分页写入等多种操作模式，提升了系统软件的编程灵活性。

MB87J6760广泛应用于对存储速度、容量和可靠性有较高要求的电子系统中。在通信领域，它常用于网络交换机、路由器和基站设备中的数据包缓冲区，利用其高速读写能力实现千兆甚至万兆以太网的数据临时存储与转发。在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制卡和HMI（人机界面）设备中作为程序缓存或实时数据暂存区，确保控制指令的快速响应与执行。
　　在测试与测量仪器方面，如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪，MB87J6760被用作高速采样数据的临时存储单元，其低延迟特性有助于提升仪器的整体响应速度和数据处理能力。在视频与图像处理系统中，该芯片可作为帧缓冲器（Frame Buffer），用于存储一帧或多帧图像数据，支持高分辨率视频的实时显示与处理，常见于医疗影像设备、安防监控系统和广播级视频设备中。
　　此外，在航空航天和国防电子系统中，MB87J6760因其宽温工作能力和高可靠性而被用于飞行控制计算机、雷达信号处理模块和卫星通信终端等关键部件。其抗辐射加固版本（若存在衍生型号）还可用于近地轨道卫星或深空探测器中。在高端嵌入式系统和数字信号处理器（DSP）平台中，该SRAM也常作为外部扩展内存，弥补片内RAM容量不足的问题，提升整体运算效率。总之，MB87J6760凭借其高性能、低功耗和高稳定性，成为多种高端电子设备中不可或缺的核心存储元件。