时间：2025/8/23 16:54:30
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TT104N12KOF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），专为高功率应用设计。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJTs（双极型晶体管）的低导通压降特性，使其在高电压和高电流条件下具有出色的性能。TT104N12KOF 采用 TO-247 封装，适用于需要高效能和可靠性的工业应用。
类型：IGBT
封装类型：TO-247
最大集电极-发射极电压 (Vce)：1200V
最大集电极电流 (Ic)：100A
导通压降 (Vce_sat)：典型值 2.1V（在 Ic=80A 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极阈值电压 (Vge(th))：典型值 6V
短路耐受能力：6μs
最大功耗：420W
输入电容 (Cies)：典型值 3900pF
TT104N12KOF 是一款高性能 IGBT，具有卓越的电气性能和可靠性。其高耐压能力可达 1200V，能够承受极端的电压应力，适用于高电压系统。该器件的导通压降较低，通常在 2.1V 左右，在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，TT104N12KOF 具有良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，这使其在电机驱动和逆变器等高动态负载应用中表现优异。该器件的栅极阈值电压为 6V 左右，确保了在不同工作条件下的稳定控制。
采用 TO-247 封装，该器件具备良好的散热能力，适用于需要高效散热的高功率应用。同时，其封装形式也便于安装和连接，提高了使用的便利性。
TT104N12KOF 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的系统中，例如工业电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）、逆变器、焊接设备和太阳能逆变器等。在这些应用中，该 IGBT 能够提供高效的电能转换，并确保系统的稳定运行。
特别是在电机驱动和变频器系统中，TT104N12KOF 的低导通压降和高耐压特性可以有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。而在太阳能逆变器中，该器件的高可靠性和良好的热稳定性能够确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
TT106N12KOF, TTA100N12KOF
