2STBN15D100 时间：2025/7/22 14:42:52 阅读：7

2STBN15D100是一款双路N通道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻的特性。该器件专为需要高功率密度和高可靠性的应用而设计，例如工业控制、电机驱动、电源转换和汽车电子系统。其双路结构允许同时控制两个独立负载，提高了设计的灵活性。封装形式为DPAK，便于散热并确保在高电流条件下的稳定运行。

参数

类型：功率MOSFET
　　通道类型：N通道（双路）
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大）
　　栅极电荷（Qg）：30nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：DPAK

特性

2STBN15D100功率MOSFET基于先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流操作时损耗最小化，从而提高整体系统效率。
　　其双路N通道设计允许在单一封装中实现两个独立的MOSFET器件，节省PCB空间并简化电路布局。
　　该器件的高耐压能力（100V）使其适用于中高压功率转换应用，例如DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。
　　内置的热保护功能增强了系统的可靠性，同时其DPAK封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，提高了动态响应能力，适用于高频开关应用。

应用

2STBN15D100广泛应用于工业自动化设备、无刷直流电机驱动器、电源管理系统、电动车控制器、DC-DC升压/降压转换器以及高功率LED照明系统等场景。
　　由于其具备双路MOSFET结构，因此特别适合需要并联或独立控制两个负载的应用，例如H桥电机驱动电路或双路电源切换控制。
　　在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键模块。
　　同时，其出色的热稳定性和低导通电阻也使其适用于高效率电源供应器和不间断电源（UPS）系统。