时间：2025/7/22 11:33:09
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CMD6090E 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和电流处理能力。CMD6090E 通常用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电源管理等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：60A
最大漏源电压 (VDS)：100V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：典型值 0.018Ω（在 VGS=10V 时）
功率耗散 (PD)：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
CMD6090E 具备低导通电阻特性，这使得它在导通状态下能够提供非常低的电压降，从而降低功率损耗，提高系统效率。其高电流处理能力（最大漏极电流可达 60A）使其适用于大功率负载的应用场景，例如电机控制、电源转换器和电池管理系统。此外，该器件的 TO-220 封装设计提供了良好的散热性能，能够在高功率操作条件下保持稳定的工作温度。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅源电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，其高耐压特性（100V VDS）使其适用于多种中高压电源系统，例如电源适配器、UPS 系统和太阳能逆变器等。
CMD6090E 还具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击，从而提高系统的可靠性和稳定性。其工作温度范围宽，适用于工业级和汽车电子等要求苛刻的环境条件。
CMD6090E 主要应用于高功率开关电路，包括 DC-DC 升压/降压转换器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器和负载开关控制。在工业自动化、通信电源、新能源设备（如光伏逆变器）以及汽车电子系统中，该 MOSFET 都具有广泛的应用价值。由于其高效率和高可靠性的特点，CMD6090E 也常用于高频开关电源和功率因数校正电路。
IRF1404, SiR872DP, FDP6090, NTD60N10
