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APT15S20KG 发布时间 时间:2025/7/25 22:53:03 查看 阅读:11

APT15S20KG 是一款由 Microchip Technology 生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于需要高效能开关和功率控制的应用场合。该模块结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点,适用于各种电力电子系统。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCES):1400V
   集电极电流(IC):15A
   工作温度范围:-40°C 至 150°C
   封装类型:双列直插式封装(DIP)
   最大耗散功率(PD):75W

特性

APT15S20KG 具备优良的热性能和高可靠性,适合在高功率应用中使用。其低饱和压降特性使得在导通状态下功耗更低,提高了整体系统效率。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,确保在极端工作条件下的稳定性。
   这款 IGBT 模块还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,提高电路响应速度。其封装设计确保了良好的散热性能,延长了器件的使用寿命。
   APT15S20KG 的内部结构优化了电流分布,减少了电磁干扰(EMI),从而提高了系统的电磁兼容性。该模块还具备较高的绝缘等级,适用于多种恶劣环境条件。

应用

APT15S20KG 常用于工业电机控制、变频器、电源转换器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电系统等高功率电子设备中。由于其优良的性能和可靠性,该模块在工业自动化、新能源发电、交通运输等领域也得到了广泛应用。

替代型号

APT20S20KG, APT10S20KG

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APT15S20KG参数

  • 产品培训模块Diode Overview
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)25A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)830mV @ 15A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)80ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电250µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商设备封装TO-220 [K]
  • 包装管件