时间：2025/5/7 17:07:19
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LMUN5311DW1T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关电源用功率晶体管。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET)，能够在高频工作条件下实现低导通电阻和快速开关性能，从而提高整体系统效率并减小解决方案尺寸。
LMUN5311DW1T1G 专为需要高功率密度和高效能的应用而设计，例如数据中心电源、通信设备、服务器电源、电动汽车充电器等。
额定电压：600V
额定电流：4A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：20ns
封装类型：LLP8
工作温度范围：-55℃至150℃
LMUN5311DW1T1G 具备以下关键特性：
1. 超低导通电阻和极低栅极电荷使其在高频应用中表现出色。
2. 高效的热管理能力，支持长时间稳定运行。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护。
4. 小型化封装 LLP8 提供更高的功率密度。
5. 支持高达 MHz 级别的开关频率，适合高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
6. 完全兼容标准硅 MOSFET 驱动电路，简化了设计过程。
LMUN5311DW1T1G 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和电信设备中的高效电源模块。
2. 电动汽车充电桩和车载充电器。
3. 工业级 SMPS（开关模式电源）和电机驱动。
4. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品的快充解决方案。
5. 高频 DC/DC 转换器和逆变器。
6. 任何需要高效率和小型化设计的功率转换应用场景。
LMUN5310DW1T1G, LMUN5312DW1T1G
