时间：2025/8/15 11:17:31
阅读：26
CMD303C3是一款由美国Cree公司（现为Wolfspeed）生产的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，广泛应用于高功率密度和高频率的电源系统中。该器件采用碳化硅材料制造，具有优异的导热性、高击穿电场和低导通压降等特点，适用于高效能的电力电子变换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和工业电源等场合。
类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
最大反向电压：600V
额定正向电流：3A
正向压降（@3A）：1.7V（典型值）
反向漏电流（@25°C，600V）：100nA（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
CMD303C3的碳化硅材料使其具备优异的高温工作能力和更低的开关损耗，相比传统的硅基二极管，其在高频应用中表现出更高的效率和稳定性。该器件没有反向恢复时间，从而显著减少了开关损耗，提高了系统的整体效率。此外，CMD303C3的导通压降在高电流条件下保持较低水平，有助于降低导通损耗，提高电源系统的效率。该器件还具有良好的热稳定性和较高的热导率，能够在高温环境下稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场合。
由于其优异的电气特性和封装设计，CMD303C3非常适合用于高功率密度的设计，如DC/DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、电动汽车的车载充电器（OBC）和快速充电站系统等。其宽泛的工作温度范围也使其适用于极端环境条件下的应用。
CMD303C3广泛应用于高效能的电力电子系统中，如PFC电路、DC/DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车的车载充电器（OBC）、快速充电站以及工业电源设备等。由于其高频工作能力和低损耗特性，特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。
C3D03060A、C3D03060D、SiC2060A、SiC2060D
