FDMS0306CS 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 onsemi 的一部分)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计,如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于高电流和高频开关环境。
类型:N 沟道 MOSFET
漏极电流(Id):60A
漏源极电压(Vds):30V
栅源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on)):7.0mΩ @ Vgs=4.5V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装形式:PowerTrench?
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:8
FDMS0306CS 采用先进的 PowerTrench? 技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了能效。其低 Rds(on) 特性使其非常适合用于高电流应用,例如服务器电源、VRM(电压调节模块)和同步整流器。此外,该器件具有较高的热稳定性和较低的开关损耗,能够在高频工作条件下保持良好的性能。
该 MOSFET 的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(可支持 4.5V 至 10V 驱动),便于与多种驱动电路配合使用。同时,其封装设计优化了热管理性能,提高了器件在高功率密度环境下的可靠性。
FDMS0306CS 的另一个显著优势是其出色的雪崩能量承受能力,能够有效应对突发的电压和电流应力,从而增强系统的稳定性。此外,该器件的封装不含铅,符合 RoHS 环保标准,适用于现代绿色电子产品设计。
FDMS0306CS 主要用于高性能电源管理系统中,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及服务器和台式机的电压调节模块(VRM)。此外,它也适用于工业电源、电机驱动器和电源管理单元(PMU)等高效率、高功率密度的应用场景。
Si7326DP, FDS4435, IRF7413, FDMS0260S