CM50DU-24H 时间：2025/9/29 20:33:23 阅读：11

CM50DU-24H是一款由Creepage（赛米微尔）生产的高性能、高可靠性的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于工业电机驱动、逆变电源、UPS不间断电源、焊接设备以及新能源发电系统等高功率场合。该模块采用先进的封装技术与优化的芯片设计，在保证高效率的同时具备出色的热稳定性和电气隔离性能。CM50DU-24H属于半桥型IGBT模块，内部集成了两个独立的IGBT单元和反并联快速恢复二极管，构成一个完整的半桥拓扑结构，适用于DC-AC或AC-DC变换电路中。模块额定电压为1200V，最大集电极电流可达50A，适合在高温、高湿、高振动等恶劣环境下长期运行。其陶瓷基板封装不仅提高了散热效率，还增强了抗热疲劳能力，延长了使用寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过多项国际安全认证，确保在各类工业应用中的合规性与安全性。
　　CM50DU-24H采用了压接式或螺栓式安装方式，便于在散热器上进行固定，并通过低感量设计减少开关过程中的电压尖峰，提升系统EMI性能。其驱动接口兼容标准负压关断逻辑，通常推荐使用专用IGBT驱动芯片如HCPL-316J或2ED系列来实现高效可靠的驱动控制。由于其良好的参数匹配性和一致性，多个CM50DU-24H模块还可以并联使用以满足更高功率等级的设计需求。总体而言，CM50DU-24H是一款面向中大功率应用领域的成熟且稳定的IGBT模块解决方案。

参数

型号：CM50DU-24H
　　类型：IGBT模块（半桥）
　　集电极-发射极电压 VCES：1200V
　　集电极电流 IC（TC=80℃）：50A
　　集电极峰值电流 ICM：100A
　　栅极-发射极电压 VGES：±20V
　　工作结温范围 TJ：-40℃ ~ +150℃
　　存储温度范围 Tstg：-40℃ ~ +125℃
　　饱和导通压降 VCE(sat) @25°C：2.0V（典型值）
　　开关频率 fs：≤20kHz（推荐）
　　热阻 Rth(j-c)：0.35℃/W（典型）
　　隔离电压 Visol：2500VAC（1分钟）
　　封装形式：DIP-2H / 双列直插式陶瓷封装

特性

CM50DU-24H具备优异的动态与静态电气特性，能够有效支持高频开关操作下的稳定运行。其内部IGBT芯片采用场截止沟道技术（Field-Stop Trench IGBT），显著降低了导通损耗与开关损耗之间的折衷矛盾，从而提升了整体能效表现。在导通状态下，VCE(sat)典型值仅为2.0V，在满载工况下仍可保持较低的温升，有助于减小散热系统体积与成本。同时，内置的快速恢复二极管具有软恢复特性，可有效抑制反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）并减少对驱动电路的压力。
　　该模块具有高度集成化的设计优势，将两个IGBT单元及对应续流二极管集成于同一陶瓷基板之上，确保了良好的热耦合与电气对称性，特别适用于需要精确时序控制的PWM逆变电路。模块外壳采用高强度氧化铝陶瓷作为绝缘基板，结合铜底板结构，实现了优良的导热性能与机械强度。这种结构不仅能承受多次热循环而不发生分层或裂纹，还能在高湿度环境中维持稳定的绝缘性能。
　　CM50DU-24H还具备较强的过载与短路耐受能力，可在短时间内承受高达两倍额定电流的冲击负载而不会损坏。配合外部保护电路（如desat检测、过流封锁等），可构建出高度可靠的电力电子系统。此外，模块引脚布局经过优化，尽量缩短内部连接线长度，从而降低寄生电感，提高开关速度并减少电压振荡风险。这些综合特性使其成为工业变频器、感应加热电源、光伏逆变器等高端应用的理想选择。

应用

CM50DU-24H广泛应用于多种中高功率电力电子设备中。在工业自动化领域，常用于通用变频器和伺服驱动器中实现电机调速控制，其高效率和高可靠性保障了长时间连续运行的需求。在不间断电源（UPS）系统中，该模块作为逆变级核心器件，负责将直流母线电压转换为纯净的正弦交流输出，其快速响应能力和低失真度有助于提升供电质量。
　　在电焊机设备中，CM50DU-24H可用于逆变式弧焊电源的主回路，利用其高开关频率和良好动态响应特性，实现精确的电流波形控制，从而获得高质量的焊接效果。在新能源系统方面，该模块可用于小型光伏并网逆变器或离网储能系统中，承担能量双向转换功能，尤其是在单相或三相组串式逆变器中表现出良好的适应性。
　　此外，它也适用于感应加热装置、电动车辆充电模块、风力发电变流器前端整流/逆变单元以及各类电源模块化设计中。由于其具备较高的隔离电压和环境适应性，甚至可在轨道交通辅助电源、船舶电力系统等特殊工业场景中使用。总之，凡涉及1200V电压等级、50A左右电流容量的功率变换场合，CM50DU-24H均是一个值得信赖的技术选项。