时间：2025/5/26 19:48:46
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FN18X474K250PBG是一款高性能的MOSFET功率器件，主要应用于高电压、大电流场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备卓越的导通特性和开关性能，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理和驱动应用。其封装形式为PBG（Power Block Geometry），具有良好的散热性能和机械稳定性。
FN18X474K250PBG属于增强型N沟道MOSFET，能够承受较高的漏源电压，并在高频工作条件下表现出优异的效率和可靠性。
漏源电压：1800V
连续漏极电流：47A
导通电阻：250mΩ
栅极电荷：30nC
最大功耗：400W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：PBG
FN18X474K250PBG的关键特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：支持高达1800V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻：仅为250mΩ，在高电流应用中显著降低功耗。
3. 快速开关性能：通过优化的结构设计，减少了开关损耗，提高了系统效率。
4. 强大的热管理能力：PBG封装形式提供了优越的散热性能，能够有效散发热量。
5. 宽温度范围：能够在极端温度环境下正常工作，适应多种应用场景。
6. 可靠性高：经过严格的测试和验证流程，确保长时间使用下的稳定性。
FN18X474K250PBG广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，包括但不限于以下场景：
1. 工业电源：用于开关电源、不间断电源（UPS）等设备。
2. 电机驱动：适用于各类交流和直流电机的驱动电路。
3. 新能源系统：如太阳能逆变器、风力发电系统中的功率调节模块。
4. 汽车电子：电动汽车充电系统、车载DC-DC转换器等。
5. 其他高电压应用：如焊接设备、电磁炉等需要大功率输出的产品。
IRGB180474L250PBG,
STP18NK47,
FND18X474K250
