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FN18X474K250PBG 发布时间 时间:2025/5/26 19:48:46 查看 阅读:20

FN18X474K250PBG是一款高性能的MOSFET功率器件,主要应用于高电压、大电流场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备卓越的导通特性和开关性能,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理和驱动应用。其封装形式为PBG(Power Block Geometry),具有良好的散热性能和机械稳定性。
  FN18X474K250PBG属于增强型N沟道MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并在高频工作条件下表现出优异的效率和可靠性。

参数

漏源电压:1800V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:250mΩ
  栅极电荷:30nC
  最大功耗:400W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:PBG

特性

FN18X474K250PBG的关键特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力:支持高达1800V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻:仅为250mΩ,在高电流应用中显著降低功耗。
  3. 快速开关性能:通过优化的结构设计,减少了开关损耗,提高了系统效率。
  4. 强大的热管理能力:PBG封装形式提供了优越的散热性能,能够有效散发热量。
  5. 宽温度范围:能够在极端温度环境下正常工作,适应多种应用场景。
  6. 可靠性高:经过严格的测试和验证流程,确保长时间使用下的稳定性。

应用

FN18X474K250PBG广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 工业电源:用于开关电源、不间断电源(UPS)等设备。
  2. 电机驱动:适用于各类交流和直流电机的驱动电路。
  3. 新能源系统:如太阳能逆变器、风力发电系统中的功率调节模块。
  4. 汽车电子:电动汽车充电系统、车载DC-DC转换器等。
  5. 其他高电压应用:如焊接设备、电磁炉等需要大功率输出的产品。

替代型号

IRGB180474L250PBG,
  STP18NK47,
  FND18X474K250

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