型号：CM20KD-12H
　　封装类型：SMA
　　二极管配置：共阴极双二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：12V
　　最大直流阻断电压（VR）：12V
　　最大均方根电压（VRMS）：8.5V
　　最大平均整流电流（IO）：2A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
　　正向压降（VF）：典型值0.37V，最大值0.48V（在2A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在12V, 25°C条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：60°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CM20KD-12H的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，通常在0.37V左右（测试条件为2A），最大不超过0.48V。这种低VF特性显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的系统。相比传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr < 1ns）。这一特性使其在高频开关电源、同步整流辅助电路以及PWM控制回路中表现出色，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极结构，非常适合用于全波整流、双通道续流保护或并联以提高电流承载能力。其SMA封装形式体积小巧，便于自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度布局设计。CM20KD-12H的热阻约为60°C/W，在良好散热条件下可长期稳定工作于高达125°C的结温环境，确保了在高温工况下的可靠性。
　　此外，该器件具备高达50A的峰值非重复浪涌电流承受能力，能够在启动或负载突变时抵御瞬时过电流冲击，增强了系统的鲁棒性。反向漏电流在常温下不超过10μA，虽然随温度升高会有所增加，但在大多数应用场景中仍处于可接受范围。整体而言，CM20KD-12H结合了低功耗、高效率、小尺寸与高可靠性的优点，是现代电力电子设计中理想的低压整流与保护元件。

CM20KD-12H广泛应用于各类需要高效低压整流与快速响应的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作输出端的整流二极管或续流二极管，尤其是在降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，利用其低正向压降来提升整体转换效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件有助于延长电池续航时间。在AC-DC适配器和小型开关电源中，CM20KD-12H可用于次级侧整流环节，减少发热并提高功率密度。
　　此外，该器件也适用于逆变器电路中的钳位与保护功能，防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。在电机驱动和继电器控制电路中，CM20KD-12H可作为续流二极管，吸收线圈断电时产生的反向电压尖峰，保护晶体管或MOSFET不受损害。由于其双二极管共阴极结构，还可用于双路电源隔离或逻辑电平切换电路中。
　　在通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中，CM20KD-12H因其高可靠性与小型化特点而备受青睐。同时，该器件也可用于太阳能充电控制器、LED驱动电源以及USB供电接口的保护电路中，提供高效的电流导向与反接保护功能。其表面贴装封装形式兼容自动化生产线，适合大规模制造应用。

MBR240-12
　　SB2100CT
　　SS2P4