GA1206A100KXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提高效率。
该型号中的具体参数可通过其命名规则解析部分特性,例如其导通电阻、封装形式及耐压等级等关键信息。
类型:N-Channel MOSFET
耐压:100V
导通电阻:4.5mΩ
最大漏极电流:68A
栅极电荷:49nC
总电容:1320pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
GA1206A100KXEBP31G具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,从而大幅减少导通损耗。
2. 高效的开关性能,栅极电荷较低,仅为49nC,适合高频应用。
3. 耐热增强型封装设计,提升了散热能力,使其在高功率密度的应用中表现出色。
4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路和充放电控制。
其高频特性和高效性能使其成为现代电力电子系统的理想选择。
IRF7845,
STP100NF06,
FDP16N10,
AOT291L