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GA1206A100KXEBP31G 发布时间 时间:2025/7/1 14:48:01 查看 阅读:7

GA1206A100KXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提高效率。
  该型号中的具体参数可通过其命名规则解析部分特性,例如其导通电阻、封装形式及耐压等级等关键信息。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  耐压:100V
  导通电阻:4.5mΩ
  最大漏极电流:68A
  栅极电荷:49nC
  总电容:1320pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

GA1206A100KXEBP31G具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,从而大幅减少导通损耗。
  2. 高效的开关性能,栅极电荷较低,仅为49nC,适合高频应用。
  3. 耐热增强型封装设计,提升了散热能力,使其在高功率密度的应用中表现出色。
  4. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,适用于严苛的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路和充放电控制。
  其高频特性和高效性能使其成为现代电力电子系统的理想选择。

替代型号

IRF7845,
  STP100NF06,
  FDP16N10,
  AOT291L

GA1206A100KXEBP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容10 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-