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CM150DY-24E 发布时间 时间:2025/9/29 12:06:40 查看 阅读:6

CM150DY-24E是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块属于富士的7代IGBT技术产品线,具备优异的开关性能和导通特性,适用于高效率、高可靠性的变频器、伺服驱动器、UPS电源以及工业电机控制系统等场合。CM150DY-24E采用双管模块(Half-Bridge)结构设计,内部集成了两个IGBT芯片及对应的反并联二极管,额定电流为150A,额定电压为1200V,能够承受较高的瞬时过载能力。模块封装形式为第四代Mini SKiiP,具有良好的热传导性能和机械稳定性,便于安装于散热器上,并支持螺丝固定方式以确保长期运行的可靠性。此外,该模块内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块内部温度,提升系统保护能力。CM150DY-24E在设计上优化了寄生电感和热阻,提升了整体系统的EMI表现和能效水平,在中等功率等级的应用中表现出色。

参数

型号:CM150DY-24E
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥(Half-Bridge)
  集电极电流IC(@TC=80℃):150A
  集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:1200V
  饱和压降VCE(sat)(@IC=75A, VGE=15V):约2.1V
  栅极电压范围VGE:-10V 至 +20V
  最大工作结温Tj:150℃
  反向恢复时间trr(二极管):约500ns
  热阻Rth(j-c):约0.25 K/W
  封装类型:Mini SKiiP
  是否集成NTC:是
  配置:2-in-1(半桥)

特性

CM150DY-24E采用了富士第七代IGBT芯片技术,这一代技术在载流子注入效率、电场分布控制以及器件薄片化工艺方面进行了显著优化,从而实现了更低的导通损耗和开关损耗之间的最佳平衡。其IGBT芯片通过精细的沟槽栅(Trench Gate)与场截止层(Field Stop Layer)结构设计,有效降低了VCE(sat),减少了导通状态下的功耗,提高了系统整体能效。同时,该模块所集成的快速软恢复二极管具有较低的反向恢复电荷Qrr和更平缓的反向恢复电流波形,极大抑制了因二极管关断引起的电压尖峰和电磁干扰问题,增强了系统在高频开关应用中的稳定性。
  在模块封装方面,CM150DY-24E采用先进的焊接与键合工艺,确保内部连接的高可靠性和耐久性。其Mini SKiiP封装结构不仅提供了优异的热传导路径,还具备较强的抗热循环能力,能够在频繁启停或负载波动较大的工况下保持稳定运行。模块底部采用绝缘陶瓷基板(通常为氮化铝或氧化铝),配合硅脂或相变材料可实现高效散热。此外,模块内置的NTC热敏电阻位于IGBT芯片附近,能够准确反映核心发热区域的温度变化,为控制系统提供及时的过温预警和保护依据。
  电气隔离方面,CM150DY-24E满足工业级绝缘要求,可承受高达2500VAC以上的隔离电压,适用于各类需要强电隔离的安全应用场景。其引出端子布局合理,支持母排或电缆连接,安装便捷且接触电阻小。整个模块经过严格的出厂测试,包括高压测试、漏电流测试、功能测试和老化筛选,确保每一只出厂产品的品质一致性与长期可靠性。

应用

CM150DY-24E因其高功率密度、优良的动态响应特性和可靠的热管理能力,被广泛应用于多种工业电力变换装置中。最常见的应用领域是通用交流变频器,用于驱动三相异步电机,实现精确的速度与转矩控制,广泛服务于风机、水泵、压缩机等节能调速场景。在伺服驱动系统中,该模块能够满足高动态响应和高精度电流控制的需求,适用于数控机床、机器人、自动化生产线等高端装备。
  此外,CM150DY-24E也常用于不间断电源(UPS)系统中的逆变电路部分,承担直流到交流的能量转换任务,保障关键负载在市电中断时仍能持续供电。在新能源相关设备中,如太阳能逆变器或储能变流器(PCS),该模块可用于DC-AC转换环节,虽然其电压等级更适合低压并网系统或级联多电平结构中的子单元。在电焊机、感应加热电源以及轨道交通辅助电源系统中,CM150DY-24E同样展现出良好的适应性和稳定性。
  由于其具备半桥拓扑结构,CM150DY-24E也可用于构建H桥逆变器、有源前端(AFE)整流器或多电平变换器的基本单元。配合合适的驱动电路与保护机制(如过流、短路、过温保护),可在复杂电磁环境下长期稳定运行。因此,它特别适合对系统可靠性要求较高、环境条件较为恶劣的工业现场使用。

替代型号

SEMiX153GB126HDS

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