时间：2025/12/28 19:35:56
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20KPA216A 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具备良好的导通性能和较高的效率，适用于诸如电源转换器、电机控制、工业自动化系统以及电动汽车等高要求的应用场景。其封装形式为TO-220，便于散热并适合于多种电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω @ Vgs=10V
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散：50W
20KPA216A 具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率应用中表现出色。其低Rds(on)特性可减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。20KPA216A的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其坚固的封装设计也提高了散热性能，有助于延长器件寿命。
该器件还具有良好的短路耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的稳定性。此外，20KPA216A的栅极驱动电压范围较宽，可在多种驱动条件下保持稳定工作，适合用于多种类型的功率控制电路。
20KPA216A 常见于工业电源、DC-DC转换器、电机控制、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及高功率开关电源设计中。由于其高耐压和高电流能力，该器件在电力电子系统中扮演着关键角色，尤其适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
STP20NK20Z, IRFZ44N, FDP20N20, FQA20N20
