时间：2025/7/23 1:23:05
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STF5N52U是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计和生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率和高性能的电源应用而设计，适用于需要低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力的电路。STF5N52U的封装形式为TO-220FP，这种封装方式使其具有良好的散热性能，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：520V
连续漏极电流（ID）：4.5A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：1.6Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220FP
STF5N52U具有多项设计优势，使其成为高效率电源应用的理想选择。其高耐压能力（520V）使其能够胜任各种高电压环境下的工作需求。同时，低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体效率。该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了其在不同电路设计中的灵活性。
此外，STF5N52U采用了先进的功率MOSFET制造技术，提供了卓越的热稳定性和耐用性。其TO-220FP封装形式不仅有助于快速散热，还支持简单的安装和集成，非常适合需要长时间稳定运行的应用场景。在动态性能方面，STF5N52U具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，同时降低了电磁干扰（EMI）的风险。
STF5N52U广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器和逆变器等电力电子设备。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于高电压输入的电源适配器和工业自动化设备中的功率控制电路。此外，该MOSFET也可用于驱动电机和感性负载，在各种需要高效能功率管理的系统中发挥重要作用。
STF5N52K5, STF5N52UH, STF5N52U-TR
