CLA50E12 时间：2025/8/6 4:46:41 阅读：39

CLA50E12是一种高压大功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于工业、汽车和能源系统中的高电压和高电流应用。这款MOSFET设计用于高效开关和功率转换，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较高的热稳定性，使其在高负载条件下表现优异。CLA50E12属于增强型N沟道MOSFET，能够在较高的电压下保持稳定的性能，并且具备良好的耐久性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（典型值）
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：1200V

特性

CLA50E12 MOSFET的核心特性包括其高电压耐受能力（1200V BVDSS），使其适用于高压电源和工业控制系统。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体效率。此外，该器件具备良好的热管理能力，能够承受较高的功率耗散（高达300W），在高负载环境下保持稳定运行。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，并支持简便的安装与集成。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，增强了其在恶劣工况下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，有助于实现更灵活的控制策略。
　　在动态性能方面，CLA50E12具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其快速开关特性减少了能量损耗并提高了系统的响应速度。该器件还具备较高的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。此外，其封装设计确保了良好的绝缘性能，降低了漏电流风险，提高了整体系统的安全性。

应用

CLA50E12 MOSFET主要用于高压和大功率应用，例如工业电机驱动、电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源）、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及高功率LED照明系统。在这些应用中，它能够提供高效的功率控制和可靠的开关性能。此外，该器件也适用于电焊机、变频器和工业自动化设备中的功率管理模块。在汽车领域，它可用于车载充电器、电池管理系统和高功率车载逆变器等关键部件。