时间：2025/8/21 21:22:39
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CLA4601是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能射频（RF）功率晶体管，采用LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造。该器件专为高频、高功率应用设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器。CLA4601具有高增益、高效率和出色的热稳定性能，使其成为无线通信、射频加热、等离子体生成和射频测试设备等领域的理想选择。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
封装类型：TO-247
最大漏极电压（Vds）：65V
最大漏极电流（Id）：15A
最大耗散功率（Pd）：150W
工作频率范围：1MHz ~ 500MHz
增益（Gps）：27dB（典型值）
输出功率（Pout）：150W（典型值）
漏极效率（Drain Efficiency）：65%（典型值）
输入回波损耗（S11）：
栅极电压（Vgs）：-2.5V ~ +2.5V
热阻（Rth）：0.8°C/W（结到壳）
工作温度范围：-65°C ~ +150°C
CLA4601采用先进的LDMOS工艺技术，具备高线性度和优异的热管理能力，能够在高功率条件下稳定运行。其高增益和高输出功率特性使其适用于需要大功率放大的射频系统。此外，该器件具有良好的抗失真能力和宽频率响应范围，支持从1MHz到500MHz的多频段操作，适用于多种射频应用场景。其TO-247封装设计便于散热，提高了器件在高功率条件下的可靠性和使用寿命。
该晶体管的输入和输出阻抗匹配良好，降低了外部匹配电路的复杂性，有助于简化设计和提高系统效率。同时，其高漏极效率意味着在工作过程中能量损耗较低，减少了散热需求并提高了整体系统能效。CLA4601还具有出色的抗静电放电（ESD）能力和良好的长期稳定性，适合在恶劣环境下长期运行。
CLA4601广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站、工业射频加热设备、医疗射频治疗系统、等离子体发生器、射频测试仪器以及广播发射机等高功率射频系统。其优异的性能使其在需要高稳定性和高输出功率的场合表现出色。
MRF151G、CMF24015D、NPTL150RF2K、BLF188XR
