时间：2025/8/24 9:28:06
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FDS2572 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备等应用中。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和高频率响应，适用于需要高效能和小型化设计的电源系统。其采用先进的平面技术，提供优异的热稳定性和可靠性，适合在高功率密度的环境中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：4.4A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOP（小外形晶体管封装）
功率耗散（Pd）：1.4W
输入电容（Ciss）：480pF（典型值）
开启阈值电压（Vgs(th)）：1.1V 至 2.5V
FDS2572 的主要特性之一是其极低的导通电阻，能够在高电流应用中显著降低功率损耗，提高系统效率。该 MOSFET 在低栅极驱动电压下仍能保持良好的性能，使其适用于电池供电设备等低压系统。其封装设计优化了热管理性能，有助于快速散热，提高整体稳定性。
此外，FDS2572 具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在瞬态高电压和高电流条件下保持稳定运行。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
FDS2572 常用于以下应用场景：电源管理系统中的负载开关或电源分配控制；便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）中的 DC-DC 转换器；电池管理系统中的充放电控制电路；电机驱动器、LED 照明驱动电路以及各种需要高效能 N 沟道 MOSFET 的功率控制电路。此外，该器件也可用于同步整流、电源管理 IC（PMIC）的外围电路以及电源适配器等应用。
Si2302DS、AO3400、FDN340P、FDS6675、IRLML2502
