制造商：STMicroelectronics
　　产品类型：评估板
　　支持的器件：650V/600A SiC MOSFET模块
　　输入电压范围：支持多种输入电压配置
　　输出功率能力：高达数十千瓦（取决于应用配置）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　接口类型：支持多种电源和控制接口
　　尺寸：标准评估板尺寸
　　保护特性：过流保护、过温保护、短路保护等

T2G6003028-FS-EVB2评估板具备多项关键特性，使其成为开发高性能SiC功率模块的理想选择。首先，它支持STMicroelectronics最新的SiC MOSFET技术，提供卓越的导通和开关性能，适用于高效率、高功率密度的应用。其次，该评估板集成了多种保护功能，如过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP），确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。此外，T2G6003028-FS-EVB2的设计充分考虑了热管理和电磁兼容性（EMC），提供了优化的PCB布局和散热方案，确保在高功率应用中保持良好的热性能和抗干扰能力。评估板还配备了多个测试点和调试接口，方便用户进行电压、电流和温度的测量，有助于快速进行故障排查和性能优化。最后，该评估板支持多种控制方式，包括模拟控制和数字控制，适用于各种拓扑结构，如升压转换器、逆变器和DC-DC转换器等。

T2G6003028-FS-EVB2评估板广泛应用于需要高性能SiC功率模块的领域，如电动汽车（EV）充电系统、工业电机驱动、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、储能系统以及高功率电源转换设备。该评估板为工程师提供了一个高效的开发平台，帮助他们在实际应用中充分发挥SiC MOSFET的优势，提升系统效率并减少能量损耗。

T2G6003028-FS-EVB2没有直接的替代型号，但类似的评估板包括STMicroelectronics的STEVAL-IPM260V100B评估板（用于SiC智能功率模块）以及Infineon Technologies的 EVAL-1EDC2512B-SIC评估套件（用于SiC MOSFET驱动和测试）。