时间：2025/7/3 10:51:48
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CL32B105KOJNNNE 是一种高性能的陶瓷电容器，属于 C0G（NP0）介质类型，广泛应用于需要高稳定性和低损耗特性的电子电路中。这种电容器具有出色的温度特性、高频率特性和极低的介质损耗，因此非常适合在射频和高频应用中使用。
该型号采用了叠层工艺制造，确保了其在小型化设计的同时保持卓越的电气性能。此外，它还符合 RoHS 标准，并具备优异的抗振动和抗冲击能力。
容量：0.1μF
额定电压：50V
耐压值：50V
介质材料：C0G (NP0)
尺寸：3216英寸
容差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：表面贴装 (SMD)
DF值（耗散因数）：<0.001（在 1kHz 和 25℃下测量）
CL32B105KOJNNNE 的主要特点是其使用了 C0G 类型的陶瓷介质，这种介质能够在宽广的温度范围内提供极其稳定的电容值变化，温漂几乎可以忽略不计。此外，由于其低 ESR 和低 ESL 特性，该电容器特别适合用于高频滤波、匹配网络以及振荡电路等场景。
另外，这款电容器采用了先进的叠层陶瓷技术，这不仅使其能够实现小型化，还增强了其机械强度，减少了因焊接或运输过程中的应力而导致的开裂风险。
它的高可靠性也使得其在汽车电子、工业设备及通信系统等领域得到了广泛应用。
CL32B105KOJNNNE 广泛应用于各种对稳定性要求较高的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 射频模块中的滤波与耦合
2. 高精度振荡电路
3. 数据转换器的电源退耦
4. 工业自动化控制设备
5. 汽车电子系统
6. 医疗仪器中的信号调理电路
7. 无线通信基站中的射频前端电路
8. 高速数据传输线路中的阻抗匹配网络
CL32B105KOJNNE, GRM32C7R0J104KE99, KEMPE105X8R1AA
